ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列” ～损耗比以往IGBT产品低67％，有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备功耗～

更新时间：2021-07-08 | 宣布人：

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都会）开发出650V耐压、内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均切合汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101*1”。该产品适用于以电气化车辆为首的电动汽车（xEV）中的车载充电器和DC/DC转换器、以及太阳能发电用的功率调理器等处理大功率的汽车电子设备和工业设备。

Hybrid IGBT RGWxx65C系列

近年来，在全球“创立无碳社会”和“碳中和”等减少情况负荷的努力中，电动汽车（xEV）得以日益普及。为了进一步提高系统的效率，对种种车载设备的逆变器和转换器电路中使用的功率半导体也提出了多样化需求，超低损耗的SiC功率元器件（SiC MOSFET、SiC SBD等）和古板的硅功率元器件（IGBT、SJ-MOSFET等）都在经历技术厘革。

ROHM致力于为广泛的应用提供有效的电源解决计划，不但专注于行业先进的SiC功率元器件，还积极推动Si功率元器件和驱动IC的技术及产品开发。此次，开发了能够为普及中的车载、工业设备提供更高性价比的Hybrid IGBT。

“RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT，在IGBT*2的反响单位（续流二极管）中接纳了ROHM的低损耗SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD），乐成大幅降低以往IGBT产品导通时的开关损耗（以下称“开通损耗”*3）。在车载充电器中接纳本产品时，与以往IGBT产品相比，损耗可降低67％，与超等结MOSFET （SJ-MOSFET）相比，损耗可降低24％，有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备应用的功耗。

新产品已于2021年3月开始出售样品（样品价格：1,200日元/个，不含税），预计将于2021年12月起暂以月产2万个的规模投入量产。另外，在ROHM官网上还免费提供评估和导入本系列产品所需的富厚设计数据，其中包括含有驱动电路设计要领的应用指南和SPICE模型等，以支持快速引入市场。

今后，ROHM将继续开发满足种种需求的低损耗功率元器件，同时，提供设计工具以及种种解决计划，通过助力应用系统的节能和小型化为减轻情况负荷孝敬力量。

新产品RGWxx65C系列的性能（损耗比較）

＜新产品特点＞

●损耗比以往IGBT产品低67％，为普及中的车载电子设备和工业设备提供更高性价比

“RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT，在IGBT的反响单位（续流二极管）中接纳了ROHM的低损耗SiC SBD。与以往使用Si快速恢复二极管（Si-FRD）的IGBT产品相比，乐成地大幅降低了开通损耗，在车载充电器应用中损耗比以往IGBT产品低67％。与通常损耗小于IGBT的SJ-MOSFET相比，损耗也可降低24％。在转换效率方面，新产品可以在更宽的事情频率规模确保97％以上的高效率，并且在100kHz的事情频率下，效率可比IGBT高3％，有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备应用的功耗。

内置SiC SBD开通损耗削减效果
新产品RGWxx65C系列的性能（效率比较）

●切合AEC-Q101标准，可在卑劣情况下使用

新系列产品还切合汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101”，纵然在车载和工业设备等严苛情况下也可以定心使用。

＜关于种种设计数据＞

为了加速本系列产品的应用，在ROHM官网上还免费提供评估和导入本系列新产品所需的富厚设计数据，其中包括含有驱动电路设计要领的应用指南和仿真用的模型（SPICE模型）等。如欲了解更多信息，请会见：

https://www.rohm.com.cn/products/igbt/field-stop-trench-igbt?SearchWord=rgw&PS_BuiltInDiode=SiC-SBD

＜Hybrid IGBT“RGWxx65C系列”产品阵容＞

产品名称 耐压
VCES(V) 		连接器电流
IC@100℃
(A) 		开通损耗
VCE(sat)
Typ(V) 		续流
二极管 		切合AEC-Q101
标准 		封装
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RGW60TS65CHR 		650 30 1.5 SiC SBD YES TO-247N
TO-247N
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RGW80TS65CHR 		40
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RGW00TS65CHR 		50
☆
RGW40NL65CHRB 		20 TO-263L
(LPDL)
TO-263L(LPDL)
☆
RGW50NL65CHRB 		25
☆
RGW60NL65CHRB 		30

☆：开发中

封装接纳JEDEC标准，（）内体现ROHM封装。

※除了本系列Hybrid IGBT外，产品阵容中还包括使用Si-FRD作为续流二极管的产品和无续流二极管的产品。 如欲了解更多信息，请会见：

https://www.rohm.com.cn/products/igbt/field-stop-trench-igbt?SearchWord=rgw