ROHM开发出实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET ~很是适用于工业设备和基站电机驱动的12款40V和60V耐压产品~
更新时间：2021-06-29 | 宣布人：
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都会）开发出内置有2枚耐压±40V和±60V的MOSFET且支持24V输入的双极MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2）”，很是适用于FA等工业设备和基站（冷却电扇）的电机驱动。
＜新产品特点＞
1.实现业界超低导通电阻
在ROHM此次开发的业界先进的双极MOSFET 中，接纳了新工艺的、±40V耐压的产品与普通产品相比，Pch部分的导通电阻降低多达61％，Nch部分的导通电阻也降低达39％，有助于降低种种设备的功耗。
2.具备只有双极MOSFET才有的特点，有助于实现设备的小型化和缩短设计周期
通过在一个封装中内置两枚器件，有助于设备的小型化和减少器件选型的时间。在小型化方面，如果将以往的Nch+Pch双极MOSFET（SOP8）替换成新产品（TSMT8），装置面积可减少75%。
＜与预驱动器IC组合，可提供更精彩的电机驱动解决计划＞
通过将本产品与已具有丰富实际应用业绩的ROHM单相和三相无刷电机用预驱动器IC相结合，可以进一步考虑电机的小型化、低功耗和静音驱动。通过为外围电路设计提供双极MOSFET系列和预驱动器IC相结合的综合支持，为客户提供满足其需求且更精彩的电机驱动解决计划。
组合示例
- ■QH8MC5（±60V耐压Nch+Pch双极MOSFET）和BD63001AMUV（三相无刷电机预驱动器IC）
- ■SH8KB6（+40V耐压Nch+Nch双极MOSFET）和BM62300MUV（三相无刷电机预驱动器IC）
- ■SH8KB6（+40V耐压Nch+Nch双极MOSFET）和BD63002AMUV（三相无刷电机预驱动器IC）等
＜产品阵容＞
Nch+Pch双极MOSFET
| 产品名称 |
极性 (ch) |
VDSS (V) |
ID (A) |
PD (W) |
Ron Max(mΩ) *VGS=10V |
Data Sheet |
Spice Model |
封装名称 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 SH8MB5 |
N+P | 40 | 8.5 | 2 | 19.4 | ? | ? |
SOP8
(6.0mm×5.0mm×1.75mm) |
| -40 | -8.5 | 16.8 | ||||||
|
SH8MC5 |
60 | 6.5 | 32 | ? | ? | |||
| -60 | -7 | 33 | ||||||
|
QH8MB5 |
40 | 4.5 | 1.5 | 44 | ? | ? |
TSMT8
(2.8mm×3.0mm×0.8mm) |
|
| -40 | -5 | 41 | ||||||
|
QH8MC5 |
60 | 3 | 90 | ? | ? | |||
| -60 | -3.5 | 91 |
Nch+Nch双极MOSFET
| 产品名称 |
极性 (ch) |
VDSS (V) |
ID (A) |
PD (W) |
Ron Max(mΩ) *VGS=10V |
Data Sheet |
Spice Model |
封装名称 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SH8KB7 |
N+N | 40 | 13.5 | 2 | 8.4 | ? | ? |
SOP8
(6.0mm×5.0mm×1.75mm) |
|
SH8KB6 |
8.5 | 19.4 | ? | ? | ||||
|
SH8KC7 |
60 | 10.5 | 12.4 | ? | ? | |||
|
SH8KC6 |
6.5 | 32 | ? | ? | ||||
|
QH8KB6 |
40 | 8 | 1.5 | 17.7 | ? | ? |
TSMT8
(2.8mm×3.0mm×0.8mm) |
|
|
QH8KB5 |
4.5 | 44 | ? | ? | ||||
|
QH8KC6 |
60 | 5.5 | 30 | ? | ? | |||
|
QH8KC5 |
3 | 90 | ? | ? | ||||
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