ROHM开发出接纳4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都） ，开发出6款沟槽栅结构※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品（650V／1200V耐压） ，很是适用于要求高效率的效劳器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。
此次新开发的系列产品接纳4引脚封装（TO-247-4L） ，可充分地发挥出SiC MOSFET自己的高速开关性能。与以往3引脚封装（TO-247N）相比 ，开关损耗可降低约35％ ，很是有助于进一步降低种种设备的功耗。
另外 ，永利集团也已开始供应SiC MOSFET评估板“P02SCT3040KR-EVK-001” ，该评估板中配置有很是适用于SiC元器件的驱动的ROHM栅极驱动器IC（BM6101FV-C）、种种电源IC及分立产品 ，可为客户提供轻松进行元器件评估的解决计划。
本系列产品已于2019年8月起以月产50万个的规模逐步投入量产（样品价格2,100日元起 ，不含税）。生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福冈）。别的 ，本系列产品和评估板已于2019年9月起开始网售 ，可从AMEYA360、icHub购置。
近年来 ，随着AI和IoT的生长与普及 ，对云效劳的需求日益增加 ，与此同时 ，在全球规模对数据中心的需求也随之增长。数据中心所使用的效劳器正在向大容量、高性能偏向生长 ，而如何降低功耗量就成为一个亟需解决的课题。另一方面 ，以往效劳器的功率转换电路中 ，主要接纳的是硅（Si）元器件 ，如今 ，损耗更低的SiC元器件被寄予厚望。特别是接纳了TO-247-4L封装的SiC MOSFET ，与以往封装相比 ，可降低开关损耗 ，因此有望应用于效劳器、基站、太阳能发电等高输出应用中。
2015年 ，ROHM于全球第一家乐成实现沟槽栅结构SiC MOSFET的量产 ，并一直致力于领先于行业的产品开发。此次新开发出650V／1200V耐压的低损耗SiC MOSFET ，未来也会继续推进立异型元器件的开发 ，同时提供包括很是适用于SiC驱动的栅极驱动器IC等在内的解决计划 ，为进一步降低种种设备的功耗孝敬力量。
＜特点＞
接纳4引脚封装（TO-247-4L） ，开关损耗降低约35％
在古板的3引脚封装（TO-247N）中 ，源极引脚的电感分量※2）会引起栅极电压下降 ，并导致开关速度延迟。
此次 ，SCT3xxx xR系列所接纳的4引脚封装（TO-247-4L） ，可以疏散电源源极引脚和驱动器源极引脚 ，因此 ，可减少电感分量的影响。这样 ，能够充分地发挥出SiC MOSFET的高速开关性能 ，尤其是可以显著改善导通损耗。与以往产品相比 ，导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约35％的损耗。
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