ROHM开发出确保装置可靠性的车载用超小型MOSFET“RV4xxx系列”
＜提要＞
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）开发出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET“RV4xxx系列” ，该系列产品可确保部件装置后的可靠性 ，且切合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101 ，是确保车规级品质的高可靠性产品。另外 ，产品接纳了ROHM独吞的封装加工技术 ，很是有助于对品质要求高的高级驾驶辅助系统（ADAS）摄像头� ？榈绕档缱拥男⌒突�。
RV4xxx系列已于2019年5月份开始出售样品（样品价格 100日元／个 ，不含税） ，预计于2019年9月开始暂以月产10万个规模投入量产。
＜配景＞
近年来 ，ADAS不可或缺的车载摄像头 ，受装置空间的限制 ，对所配置部件的小型化要求越来越高。为满足这些市场需求 ，在坚持大电流的前提下 ，有望进一步实现小型化的底部电极封装MOSFET备受瞩目。
另一方面 ，关于汽车电子产品 ，为确� ？煽啃� ，会在产品装置后进行外观检测*1) ，但由于底部电极封装在侧面没有充分形成稳定的焊接面 ，因此无法确保汽车电子需要的焊料高度 ，并且很难确认装置后的焊接状态 ，这是恒久以来保存的课题。
ROHM一直致力于包括超小型MOSFET在内的行业领先产品的开发 ，并创立了傲人业绩。此次 ，通过引入ROHM独吞工艺要领的 Wettable Flank成型技术*2) ，底面电极封装也能形成焊接面。作为业界首家※、包管封装侧面电极部分130μm的高度 ，因此可在产品装置后的外观检测中可以充分确认焊接状态。
未来 ，ROHM会充分运用Wettable Flank成型技术优势 ，继续开发小型封装技术 ，并将技术优势从MOSFET扩展到双极晶体管和二极管产品 ，连续扩充追求小型高可靠性的产品阵容。
※截至2019年7月23日 ROHM视察数据
＜特点＞
1. 利用融入ROHM独吞工艺要领的Wettable Flank成型技术 ，包管封装侧面电极部分130μm的高度
Wettable Flank成型技术是在封装侧面的引线框架部加入切割再进行电镀的技术。可是 ，引线框架切割高度越高越容易爆发毛刺。
为此 ，ROHM开发出独吞的工艺要领 ，在引线框架整个外貌上设置了用来减少毛刺的阻挡层。这可以避免产品装置时的倾斜和焊接不良 ，并且作为DFN1616封装产品（1.6mm×1.6mm） ，业界首家包管封装侧面电极部分130μm的高度。
2. 替换为小型底部电极 MOSFET ，削减装置面积
以往ADAS摄像头� ？榈姆唇颖；さ缏分饕幽尚ぬ鼗评荻埽⊿BD）。可是 ，随着摄像头的区分率日益提高 ，在超大电流化偏向生长的车载市场 ，由于小型底部电极MOSFET具有导通电阻低且可减少发热量的特点 ，替换掉SBD已经是局势所趋。
例如电流2.0A、功耗0.6W时 ，在车载市场被广为使用的带引脚封装MOSFET ，与SBD相比 ，可削减30%的装置面积。而底部电极封装的MOSFET ，由于是底部电极 ，散热性更好 ，不但可实现小型化 ，还可实现大电流化。因此 ，与古板的SBD相比 ，其装置面积可削减78% ，与普通的MOSFET相比 ，其装置面积可削减68%。
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