全球首创※！ROHM推出内置1700V SiC MOSFET的AC/DC转换器IC “BM2SCQ12xT-LBZ”助力交流400V工业设备实现显著的小型化、高可靠性及节能

更新时间：2019-04-18 | 宣布人：

＜提要＞

1700V耐压SiC MOSFET的AC/DC转换器IC“BM2SCQ12xT-LBZ”

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都），面向大功率通用逆变器、AC伺服、工业用空调、街灯等工业设备，开发出内置1700V耐压SiC MOSFET*1)的AC/DC转换器*2)IC“BM2SCQ12xT-LBZ”。
“BM2SCQ12xT-LBZ”是世界首款内置节能性能极其优异的SiC MOSFET的AC/DC转换器IC，消除了分立结构带来的设计课题，从而可很是容易地开发出节能型AC/DC转换器。专为工业设备的辅助电源*3)用而优化的控制电路和SiC MOSFET一体化封装，使得新产品与普通产品相比具有诸多优势，部件数量显著减少（将12种产品和散热板缩减为1个产品），部件故障危害降低，引进SiC MOSFET相应的开发周期减少等，一举解决了诸多课题。与ROHM以往产品相比，功率转换效率提高达5%（按功率损耗盘算，削减28%）。因此，本产品很是有助于工业设备实现显著小型化、高可靠性和节能化。
本产品已于2019年1月开始出售样品（样品价格2,500日元/个，不含税），计划于2019年5月开始暂以月产10万个的规模投入量产。另外，本产品和预计今夏开始销售的评估板将于2019年4月17日~19日在日本幕张国际会展中心举行的“TECHNO-FRONTIER 2019”上展出。
未来，ROHM将继续开发SiC元器件等功率半导体*4)和用来控制功率半导体的IC，并不绝优化这些产品，为工业设备的节能化和系统优化孝敬力量。

＜配景＞

近年来，随着节能意识的提高，在交流400V工业设备领域，相比现有的Si功率半导体，可支持更高电压、更节能、更小型的SiC功率半导体的应用越来越广。而另一方面，在工业设备中，除了主电源电路之外，还内置有为种种控制系统提供电源电压的辅助电源，辅助电源中广泛接纳了耐压较低的Si-MOSFET和损耗较大的IGBT，在节能方面保存很大课题。
ROHM针对这些挑战，于2015年推出全球首款用来驱动高耐压、低损耗SiC MOSFET的AC/DC转换器控制IC，并一直致力于开发充分发挥SiC功率半导体性能的IC，在行业中处于领先职位。此次又开发出全球首款内置SiC MOSFET的AC/DC转换器IC，将大大增进接纳SiC MOSFET的AC/DC转换器在工业领域的普及。

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＜新产品特点＞

新产品“BM2SCQ12xT-LBZ”接纳专为内置SiC MOSFET而开发的专用封装，并集成了专为工业设备的辅助电源而优化的SiC MOSFET驱动用栅极驱动电路等控制电路和1700V耐压SiC MOSFET。
作为全球首创的内置1700V耐压SiC MOSFET*的AC/DC转换器IC，本产品具有以下特点，很是有助于AC400V级工业设备的小型化、节能化以及实现更高可靠性，从而有助于推动接纳SiC MOSFET的AC/DC转换器的顺利普及。

1. 将散热板和多达12种产品一体化封装，在小型化方面具有压倒性优势

本产品接纳一体化封装，相比接纳Si-MOSFET的普通分立结构，部件数量显著减少，1个封装内包括多达12种产品（AC/DC转换器控制IC、800V耐压Si-MOSFET×2、齐纳二极管×3、电阻器×6）和散热板。另外，由于SiC MOSFET具有高耐压、抗滋扰性能优异的特点，还可实现降噪部件的小型化。

2. 减少开发周期和危害，内置�；すπ�，可靠性更高

应用与新产品效果

接纳一体化封装，可减少钳位电路和驱动电路的部件选型及可靠性评估的工时，可降低部件故障危害，可缩减引进SiC MOSFET时的开发周期，一举多得。另外，除了通过内置SiC MOSFET而实现的高精度过热�；ぃ═hermal Shutdown）功效外，还配备了过负载�；ぃ‵B OLP）、电源电压引脚的过电压�；ぃ╒CC OVP）、过电流�；ぁ⒍尾嗟缪沟墓缪贡；すπ�。进行连续驱动的工业设备电源所需的富厚�；すπ氡�，很是有助于提高可靠性。

3. 引发出SiC MOSFET的性能，节能效果显著

AC/DC转换器中的Si和SiC效率比照

本产品中搭载的很是适合SiC MOSFET驱动用的栅极驱动电路，通过充分发挥SiC MOSFET的实力，与接纳Si-MOSFET的普通产品相比，效率提升高达5%（截至2018年4月ROHM视察数据）。另外，本产品的控制电路接纳准谐振方法，与普通的PWM方法相比，运行噪声低、效率高，尽可能降低对工业设备的噪声影响。

＜接纳SiC MOSFET的利益＞

在高耐压规模中，SiC MOSFET与Si-MOSFET相比，具有“开关损耗与导通损耗小”、“可支持大功率”、“耐温度变革”等优势�；谡庑┯攀�，当SiC-MOSFET用于AC/DC转换器和DC/DC转换器等中时，可带来更高的功率转换效率、散热器件的小型化、高频事情使线圈更小等利益，具有更节能、部件数量更少、装置面积更小等效果。