ROHM开发出业界顶级高效率与软开关兼备的650V耐压IGBT "RGTV/RGW系列"

更新时间：2018-04-17 | 宣布人：

＜提要＞

永利集团·yl(中国游)官方网站

全球知名半导体制造商ROHM新开发出兼备业界顶级低传导损耗※1）和高速开关特性的650V耐压IGBT※2）"RGTV系列（短路耐受能力※3）坚持版）"和"RGW系列（高速开关版）" ，共21种机型 。这些产品很是适用于UPS（不间断电源）、焊接机及功率控制板工业设备、空调、IH（感应加热）等消费电子产品的通用变频器及转换器的功率转换 。
此次开发的新系列产品接纳薄晶圆技术及ROHM独吞结构 ，在具有权衡关系的低导通损耗和高速开关特性方面 ，获得了业界顶级的性能 。例如 ，在交错式PFC电路中使用时 ，与以往产品相比 ，轻负载时效率提升1.2％ ，重负载时效率提升0.3％ ，有助于进一步降低应用的功耗 。另外通过元器件内部的优化 ，实现了顺畅的软开关 。与同等效率的普通产品相比 ，乐成减少50%电压过冲※4） ，从而减少以往需要用来对策的部件数量 ，可显著减轻设计担负 。
本系列产品已于2017年10月开始出售样品（样品价格400日元～/个：不含税） ，并于2017年12月开始暂以月产10万个的规� ？剂坎� 。前期工序的生产基地为蓝碧石半导体宫崎株式会社（日本宫崎县） ，后期工序的生产基地为ROHM Integrated Systems (Thailand)（泰国） 。

＜配景＞

近年来 ，随着IoT进程带来的数据量増加 ，对数据中心高性能化的要求越来越高 。不但效劳器自己 ，包括进行主体电源稳定供应所不可欠缺的UPS等在内 ，系统整体的功耗量显著增加 ，进一步降低功耗已成为重要课题 。
另外 ，在使用IGBT的大功率应用中 ，为确保设备的可靠性 ，必须对可引发元器件故障或设备误行动的开关时的过冲接纳步伐 ，简化需求日益迫切 。

永利集团·yl(中国游)官方网站

＜特长＞

1．实现业界顶级的低传导损耗和高速开关性能

在本新系列产品中 ，利用薄晶圆技术使晶圆厚度比以往产品再薄15％ ，另外接纳ROHM独创的单位微细化结构 ，乐成实现业界顶级的低导通损耗（VCE(sat)＝1.5V）和高速开关特性（tf=30～40ns） 。

永利集团·yl(中国游)官方网站?永利集团·yl(中国游)官方网站

2．实现软开关 ，减轻设备的设计担负

通过元器件内部优化 ，实现了ON/OFF顺畅切换的软开关 。由此 ，开关时爆发的电压过冲与普通产品相比减少了50％ ，可减少用来抑制过冲的外置栅极电阻缓和冲电路等部件数量 。使用IGBT时 ，应用端不再需要以往需要的过冲对策 ，有利于减轻设计担负 。

永利集团·yl(中国游)官方网站?永利集团·yl(中国游)官方网站

＜产品阵容＞

产品阵容又新增了以"短路耐受能力坚持2μs"为特点的RGTV系列和以"高速开关性能"为特点的RGW系列 ，能够支持更广泛的应用 。

newRGTV系列（短路耐受能力坚持版）

TO-247N TO-3PFM
IGBT单体 内置FRD IGBT单体 内置FRD
30A RGTV60TS65 RGTV60TS65D RGTV60TK65 RGTV60TK65D
50A RGTV00TS65 RGTV00TS65D RGTV00TK65 RGTV00TK65D
80A RGTVX6TS65 ★?RGTVX6TS65D - -

★开发中

newRGW系列（高速开关版）

TO-247N TO-3PFM
IGBT单体 内置FRD IGBT单体 内置FRD
30A RGW60TS65 RGW60TS65D RGW60TK65 RGW60TK65D
40A RGW80TS65 RGW80TS65D RGW80TK65 RGW80TK65D
50A RGW00TS65 RGW00TS65D RGW00TK65 RGW00TK65D

＜应用＞

工业设备（UPS（不间断电源）、焊接机、功率控制板等）、空调、IH（感应加热）　等

＜术语解说＞

*1) 导通损耗MOSFET和IGBT等晶体管因元器件结构的缘故 ，在电流流动时爆发电压下降 。
导通损耗是因这种元器件的电压下降而爆发的损耗 。*2) IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor（绝悦魅栅双极晶体管）MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低传导损耗特性兼备的功率晶体管 。*3) 短路耐受能力对引起元器件损坏的短路（电子电路的2点用低阻值的电阻器连接）的耐受能力 。*4) 电压过冲开关ON/OFF时爆发凌驾划定电压值的电压 。 电压值因过冲而暂时凌驾稳态值 ，之后返回到接近稳态值 。