ROHM全SiC功率�？榈牟氛笕莞看螅� 支持1200V 400A(BSM400D12P3G002)、600A(BSM600D12P3G001) 有助于大功率应用的高效化与小型化
＜提要＞
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?全球知名半导体制造商ROHM面向工业设备用的电源、太阳能发电功率调理器及UPS等的逆变器、转换器，开发出额定1200V 400A、600A的全SiC功率�？�"BSM400D12P3G002"、"BSM600D12P3G001"。
本产品通过ROHM独吞的�？槟诓拷峁辜吧⑷壬杓朴呕�，实现了600A额定电流，由此，在工业设备用大容量电源等更大功率产品中的应用成为可能。另外，与普通的同等额定电流的IGBT�？橄啾�，开关损耗降低了64%（芯片温度150℃时），这很是有助于应用的进一步节能。不但如此，由于可高频驱动，另有利于外围元器件和冷却系统等的小型化。例如，凭据冷却机构中的损耗仿真进行盘算，与同等额定电流的IGBT�？橄啾�，使用SiC�？榭墒顾渖⑷绕鞯奶寤跎�88%※。 |
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本�？榻�2017年6月开始出售样品。前期工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福冈县），后期工序的生产基地为ROHM总部工厂（日本京都）。
※1200V 600A产品、PWM逆变器驱动、开关频率20kHz、导热硅脂厚度40?m以下、散热器规格接纳市场上可获得信息的产品、其他温度条件等相同时＜配景＞
近年来，SiC因其优异的节能效果而在汽车和工业设备等领域的应用日益广泛，并且市场对更大电流SiC产品的需求越来越旺盛。为了最大限度地发挥SiC产品的优势--高速开关性能，尤其是功率�？檎饫喽疃ǖ缌鹘洗蟮牟�，需要开发可抑制开关时浪涌电压影响的新封装。
2012年3月，ROHM于世界首家开始量产内置的功率半导体元件全部由碳化硅组成的全SiC功率�？�。其后，相继开发出直到1200V、300A额定电流的系列产品，在众多领域中被广为接纳。在IGBT�？槭谐�，ROHM拥有笼罩主要额定电流规模100A到600A的全SiC�？椴氛笕�，预计未来的需求会进一步增长。
＜特点＞
1. 开关损耗大幅降低，有助于设备节能搭载ROHM生产的SiC-SBD和SiC-MOSFET的全SiC功率�？�，与普通的同等额定电流的IGBT�？橄啾�，开关损耗降低64%（芯片温度150°C时）。因此，可降低应用的功率转换损耗，实现进一步节能。 2. 高频驱动，有利于外围元器件的小型化PWM逆变器驱动时的损耗仿真中，与同等额定电流的IGBT�？橄啾�，相同开关频率的损耗5kHz驱动时降低30％、20kHz驱动时降低55％，综合损耗显著减少。20kHz驱动时，所需散热器尺寸可减少88%。 |
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不但如此，由于可高频驱动，另有助于外围无源器件的小型化。
＜实现更大电流的技术要点＞
1. 封装内部电感显著降低随着功率�？椴返亩疃ǖ缌髟嚼丛酱�，开关事情时的浪涌电压变大，因此需要降低封装内部的电感。此次的新产品通过优化内置的SiC元器件配置、内部国界及引脚结构等，内部电感比以往产品低约23％。同时，开发了相同损耗时的浪涌电压比以往封装低27%的G型新封装，从而乐成实现额定电流400A、600A的产品。并且，在同等浪涌电压驱动条件下，接纳新封装可降低24%的开关损耗。 |
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2. 封装的散热性能显著提升
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要实现额定600A的大电流，不但需要降低内部电感，还需要优异的散热性能。新产品提高了对�？榈纳⑷刃杂跋煜灾牡装宀糠值钠教剐�，从而使底板和客户装置的冷却机构间的热阻减少57％。 另外，与之前的SiC�？椴芬谎�，此次也推出了用来评估的驱动用栅极驱动器板，资助客户轻松进行产品评估。 |
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＜SiC功率�？椴氛笕荩�
| 产品名 | 绝对最大额定值 |
电感 (nH) |
封装 |
热敏 电阻 |
内部电路图※ | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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VDSS (V) |
VGS (V) |
ID?(A) [Tc=60°C] |
Tj max (°C) |
Tstg (°C) |
Visol (V) [AC 1min.] |
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| BSM080D12P2C008 | 1200 | -6~22 | 80 | 175 |
-40 ~ 125 |
2500 | 25 |
C type 45.6 × 122 × 17mm |
- |
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| BSM120D12P2C005 | 120 | |||||||||
| BSM180D12P3C007 | -4~22 | 180 | ||||||||
| BSM180D12P2E002 | -6~22 | 180 | 13 |
E Type 62 × 152 × 17mm |
○ |
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||||
| BSM300D12P2E001 | 300 | |||||||||
| BSM400D12P3G002 | -4~22 | 400 | 10 |
G Type 62 × 152 × 17mm |
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| BSM600D12P3G001 | 600 | |||||||||
＜术语解说＞
- 电感
- 体现使流动的电流爆发变革时因电磁感应爆发的电动势的巨细的量。
- 浪涌电压
- 在电流平稳流动的电路中瞬间急剧变换的电压。本文中具体是指关断MOSFET的开关时爆发的电压。
- IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- 绝悦魅栅双极晶体管。在栅极装有MOSFET的双极晶体管。
- MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)
- 金属－氧化物－半导体场效应晶体管。是FET中最被普遍使用的结构。作为开关元件使用。
- SBD (Schottky Barrier Diode)
- 通过使金属和半导体接触从而形成肖特基结，利用其可获得整流性（二极管特性）的二极管。具有"无少数载流子存储效应、高速性能卓越"的特点。
津公网安备 12011102000866号