业界首家！无肖特基势垒二极管的SiC-MOS� ？榭剂坎� ～支持1200V/180A，大幅降低逆变器电力损耗～

更新时间：2012-12-25 | 宣布人：
日本知名半导体制造商永利集团(总部位于日本京都)面向工业设备和太阳能发电功率调理器等的逆变器、转换器，开始SiC－MOS� ？�(额定1200V/180A)的量产。
该� ？槟谥玫墓β拾氲继逶坑蒘iC－MOSFET组成，尚属业界首次※。额定电流提高到180A，应用规模更广，很是有助于种种设备的低功耗化、小型化。
另外，生产基地在永利集团总部工厂(日本京都)，已经开始销售样品，预计12月份开始量产并出货。 		?永利集团·yl(中国游)官方网站
?※凭据永利集团视察(截至2012年12月12日)

永利集团于2012年3月世界首家实现内置的功率半导体元件全部由碳化硅组成的"全SiC"功率� ？�(额定1200V/100A)的量产。该产品在工业设备等中的应用与研究不绝取得进展；而另一方面，在坚持小型� ？槌叽绲耐毕ＭС指蟮缌鞯男枨蟾哒�，此类产品的开发备受市场期待。
通常，为了实现大电流化，一般接纳增加MOSFET使用数量等要领来实现，但这需要整流元件即二极管配套使用，因此恒久以来很难坚持小型尺寸。


此次，永利集团接纳消除了体二极管通电劣化问题的第2代SiC-MOSFET，乐成开发出无需整流元件—二极管的SiC功率� ？�(SiC-MOS� ？�)，使SiC-MOSFET的搭载面积増加，在坚持小型� ？槌叽绲耐笔迪至舜蟮缌骰�。
内置的SiC-MOSFET通过改善晶体缺陷相关工艺和元件结构，乐成地攻克了包括体二极管在内的可靠性方面的种种课题。
由此，与逆变器中使用的一般Si-IGBT相比，损耗降低50%以上，在实现更低损耗的同时，还实现了50kHz以上的更高频率，有利于外围元件的小型化。
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＜特点＞

1.MOS单体即可坚持开关特性稳定。无尾电流，开关损耗更低?

纵然去掉SBD亦可实现与以往产品同等的开关特性。由于不会爆发Si-IGBT中常见的尾电流，损耗可降低50%以上，有助于设备越发节能。另外，抵达了Si-IGBT无法抵达的50kHz以上的开关频率，因此，还可实现外围设备的小型化、轻量化。

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2.可逆向导通，实现高效同步整流电路　

一般Si-IGBT元件无法逆向导通，而SiC-MOSFET可通过体二极管实现常时逆向导通。另外，通过输入栅极信号，还可实现MOSFET的逆向导通，与二极管相比，可实现更低电阻。通过这些逆向导通特性，与二极管整流方法相比，可在1000V以上的规模接纳高效同步整流方法的技术。

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3.乐成解决体二极管的通电劣化，通电时间达1000小时以上且无特性劣化

永利集团究明了体二极管通电的缺陷扩大机理，通过工艺、元件结构乐成控制了爆发劣化的因素。一般产品通电时间凌驾20小时导通电阻就会大幅增加，但本产品通电时间达1000小时以上导通电阻也不会增大。

乐成解决体二极管的通电劣化，通电时间达1000小时以上且无特性劣化

＜用语说明＞

1.体二极管(Body diode)
? MOSFET 的结构中，寄生于内部而形成的二极管。逆变器事情时，电流经过此二极管，因此要求具备低VF值和 高速恢复特性。
2.尾电流(Tail current)?
? IGBT 中的关断时流过的瞬态电流。因空穴注入的积累时间而爆发。此期间内需要较高的漏极电压，因此爆发较 大的开关损耗。
3.IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor：绝悦魅栅双极晶体管)?
? 不但电子，差别的空穴，电流流经而实现低导通电阻的功率晶体管。
? 因空穴注入的积累时间无法高速行动，具有开关损耗较大的问题。
4.正向电压 (VF: Forward Voltage)
? 正向电流流经时二极管爆发的电压值。数值越小耗电量越小。
5.导通电阻?
? 功率元件事情时的电阻值。这是影响功率MOSFET 性能的最重要的参数，数值越小性能越高。